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100μmX80μm 侧入光监视PD芯片
型号：XSJ-10-M-100-EI
该侧面入光的大光敏面InGaAs/InP PIN监测光探测器芯片，为平面结构，阳极和双阴极在正面，侧面可探测区域达到100μmX80μm，在980nm到1620nm波段范围内有较高的响应度，主要用于各种LD的后向光功率监测、FTTH数字光通信和光互联。
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描述
产品特点
- NPN电极位于顶部
- 侧边可探测区域：100μmX80μm
- 高响应度
- 低暗电流
- 低工作电压
- -40℃到85℃的工作范围
- 高可靠性：本产品符合Telcordia-GR-468-CORE中对产品可靠性规定的各项要求
- 100%测试和外观检测
- 满足非气密性封装要求
应用领域
- LD后向光功率监测
- FTTH数字光通信
- 光互联
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